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商務部、工業和資訊化部、國家原子能機構、海關總署、國防科工局公告2018年第36號

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【發佈單位】商務部 工業和資訊化部 國家原子能機構 海關總署 國防科工局
【發佈文號】公告2018年第36號
【發佈日期】2018-4-8

    為執行聯合國安理會第2375號決議,根據《中華人民共和國對外貿易法》第十六條和第十八條規定,禁止向朝鮮出口本公告所公佈的與大規模殺傷性武器及其運載工具相關的兩用物項和技術、常規武器兩用品。本公告自公佈之日起執行。

 

        商務部

      工業和資訊化部

國家原子能機構

海關總署

國防科工局

    2018年4月8日

 

增列禁止向朝鮮出口的兩用物項和技術清單

本清單根據聯合國安理會第2375號決議制定。

一、物項、材料、設備、物品和技術

(一)與大規模毀滅性武器有關的兩用物項、材料、設備、貨物和技術

1.環形磁鐵(專門用於消費電子産品和汽車用途的除外)

2.熱室

3.適用於操作放射性材料時使用的手套箱

4.中子學計算/建模軟體

5.輻射輸運計算/建模軟體

6.流體動力學計算/建模軟體(嚴格用於民用目的的除外,例如但不僅限于社區供暖設施)

7.輻射探測、監測和測量設備

8.射線探測設備,例如X射線轉換器和儲存磷光體成像板(醫療專用的X射線設備除外)

9.用於生産氟的電解槽

10.粒子加速器

11.持續冷卻能力為100 000英熱單位/小時(每29.3千瓦)或以上的氟利昂和冷凍水冷卻系統

12.淬硬鋼和碳化鎢精密滾珠軸承(直徑3毫米或以上)

13.磷酸三丁酯

14.硝酸(品質濃度點20%)

15.氟(嚴格用於民用目的的除外,例如製冷劑,包括氟利昂和用於生産牙膏的氟化物)

16.發射α粒子的放射性核素

17.波紋管密封閥門

18.等靜壓機

19.波紋管製造設備,包括液壓成型設備和波紋管成形衝模

20.金屬焊條惰性氣體保護焊接機(直流大於180安培)

21.蒙乃爾合金設備,包括閥門、管道、罐和容器(直徑大於8英寸、承壓可超過500磅/平方英寸的管道和閥門及容積大於500升的罐)

22.304、316和奧氏體不銹鋼板、閥門、管道、罐和容器(直徑大於8英寸、承壓可超過500磅/平方英寸的管道和閥門及容積大於500升的罐)

23.專門設計用於形成鎳或鋁涂層的電鍍設備

24.專門設計用於高真空作業的真空閥門、管道、法蘭、墊圈和相關設備(真空度為0.1帕或以下)

25.離心多面平衡機

26.能夠在300-600赫茲頻率範圍內運作的頻率變換器

27.質譜儀

28.所有閃光X光機和相關脈衝電源系統“零件”或“組件”,包括馬克思發生器、高功率脈衝成形網路、高壓電容器和觸發器

29.合成頻率為31.8千兆赫或以上、輸出功率為100毫瓦或以上,用於時間延遲生成或時間間隔測量的以下電子設備:(a) 在1微秒或以上時間間隔下可産生解析度為50納秒或以下延時的數字式時間延遲發生器;或(b) 在1微秒或以上時間間隔下可産生解析度為50納秒或以下的多道(即有3個或以上通道)或模組化時間間隔儀錶和計時設備

30.色譜和光譜分析儀器

31.地震探測設備或入侵式地震探測系統,用於探測、分類和確定已探知信號的來源的方位

32.抗輻射電視錄影機

二、常規武器兩用品

(一)特種材料和相關設備

系統、設備和部件

1.專為“飛機”或航空航太用途設計、用含氟聚酰亞胺或氟化磷晴彈性體製成且含量在50%以上(按重量)的密封件、墊片、密封劑或燃料儲箱;

2.由不可熔性芳香族聚酰亞胺製成的薄膜、薄板、寬頻或窄帶材,且具備以下任一特徵:

(1)厚度大於0.254mm;或

(2)用碳、石墨、金屬或磁性物質涂覆或層壓製成的結構件。

註釋:以上類別不適用於鍍銅或層壓銅且專用於電子印刷電路板生産的製成品。

3.下列非專為軍事用途設計的防護、探測設備及部件:

(1)適用於專門設計或改裝用於防護下列物項的全臉式面具、濾毒器、防護服、手套、鞋以及探測系統和凈化設備:

a.“生物製劑”;

b.“放射性物質”;或

c.化學戰(CW)製劑。

4.下列專門設計的裝有“能源材料”的電起爆設備和裝置:

(1)用於起爆(b)條所述起爆雷管的起爆裝置;

(2)下列電起爆雷管:

a.起爆橋(EB);

b.起爆橋線(EBW);

c.衝擊片;或

d.爆炸箔起爆器(EFI)。

技術説明:

1.“起爆雷管”還經常被稱為“起爆器”或“點火裝置”。

2.上述條目所述雷管均利用一個小導電體(橋、橋絲或箔),當大電流電脈衝快速通過上述導電體時,使它爆炸而氣化。非衝擊片型雷管中爆炸的導電體與高爆炸藥如太安(季戊四醇四硝酸酯)相接觸時會發生化學爆炸。衝擊片雷管中,導電體的爆炸蒸氣驅動飛片或衝擊片穿過間隙,撞擊炸藥而引起化學爆炸。某些設計中的衝擊片是磁力驅動的。爆炸箔雷管一詞可指起爆橋或衝擊片型雷管。

5.下列炸藥、裝置和部件:

(1)“成型炸藥”:

a.爆炸品凈量(NEQ)大於90g;且

b.外部套管直徑大於等於75mm;

(2)線型聚能切割器:

a.爆炸載荷大於40g/m;且

b.寬度大於等於10mm;

(3)爆炸中心載荷大於64g/m的引爆線;

(4)切割機和爆炸品凈量大於3.5kg的切割工具,以及其他切割工具。

試驗、檢測和生産設備

1.下列用於生産或檢測 “複合” 結構或層壓結構、或 “纖維或纖絲材料” 的設備,以及為其專門設計的部件和配件:

(1)專門設計用於生産複合材料飛機機體或導彈結構件,以2個或以上“主伺服定位”軸對牽引纜索的運動加以協調與編程的“鋪纖束機”。

2.專門設計用於製造金屬合金、金屬合金粉末或合金材料以避免污染,且專門設計用於下列任一工藝的設備:

(1)“真空霧化”法;

(2)“氣體霧化”法;

(3)“旋轉電極霧化”法;

(4)“液滴急冷”法;

(5)“熔融態急旋法”和“粉末化”;

(6)“熔融態精煉法”和“粉末化”;

(7)“機械合金化”法;或

(8)“電漿霧化”法。

3.為“超塑成形”或“擴散焊接”鈦、鋁及其合金的工具、模具、壓模或夾具:

(1)機身或航空航太飛行器結構件;

(2)“飛機”或航空航太飛行器發動機;或

(3)為(1)條所述結構或(2)條所述發動機專門設計的部件。

材料

技術説明:

金屬和合金

除非另有規定,“金屬”或“合金”涵蓋下列原材料或半成品形式:

原材料形式

陽極板、球材、棒材(包括凹口試桿和拉絲錠)、坯、塊材、初軋方坯、團塊、陰極、晶體、立方體、小片、粒料、顆粒、鑄錠、礦塊、小球、錠塊、粉末、圓粒、彈丸、扁錠、片狀毛坯、海綿金屬和金屬條。

1.下列專門設計用作電磁波吸收劑或導電聚合物材料:

(1)基於下列任一聚合物、電導率大於10000 S/m(西門子/米)或“薄層(表面)電阻率”小于100ohms/square的本徵導電聚合材料:

a.聚苯胺;

b.聚吡咯;

c.聚噻吩;

d.聚對苯乙炔;或

e.聚噻吩乙烯。

技術説明:“電導率”和“薄層(表面)電阻率”應採用ASTM D-257或等效國家標準測定。

2.由一根或多根“超導”“纖絲”組成的“超導”“複合”導體,在溫度高於115K(-158.16℃)時保持“超導”狀態。

技術説明:就上述條目而言,“纖絲”可以是線狀、柱狀、薄膜狀、帶狀或絲帶狀物體。

3.下列“纖維或纖絲材料”:

(1)具備以下所有特徵的有機“纖維或纖絲材料”:

a.“比模量”大於12.7×106m;且

b.“比拉伸強度”大於23.5×104m;

註釋:本條不適用於聚乙烯。

(2)具備以下所有特徵的碳“纖維或纖絲材料”:

a.“比模量”大於14.65×106m;且

b.“比拉伸強度”大於26.82×104m;

(3)具備以下所有特徵的無機“纖維或纖絲材料”:

a.“比模量”大於2.54×106m;且

b.在惰性環境下,熔化、軟化、分解或昇華點大於1922K(1649℃)。

軟體

1.專為“研製”、“生産”或“使用”上述設備而設計或改進的“軟體”。

2.用於“研製”上述材料的“軟體”。

3.經專門“設計”或“改進”後可令不在列管清單的設備具備上述設備功能的“軟體”。

技術

用於“研製”、“生産”或“使用”上述設備材料或“軟體”的“技術”。

(二)材料加工設備

系統、設備和部件

1.下列耐磨軸承和軸承系統及其部件:

註釋:該類別不適用於製造商標注按照ISO 3290第5級或更低級別公差生産的滾珠。

(1)具有蒙乃爾或鈹合金軸承環及滾動元件的球軸承和實心滾子軸承,且廠商標注的全部公差達到或優於ISO 492第4級公差(或等效國標);

技術説明:

“環”包含一個或多個滾道的徑向滾動軸承的環形部分(ISO 5593:1997)。

“滾動元件”——在滾道滾動的球或滾子(ISO 5593:1997)。

(2)使用以下任一項的磁懸浮軸承系統:

a.磁通密度大於等於2.0T、屈服強度大於414MPa的材料;

b.調節器的全電磁三維單級偏磁設計;或

c.高溫(大於等於450K(177℃))位置感測器。 

試驗、檢測和生産設備

1.根據製造廠的技術規格,可配備“數控”電子裝置,用於去除(或切削)金屬、陶瓷或“複合材料”的下述機床或者其組合:

(1)具備以下任一特徵的磨床:

a.可以3軸或3軸以上聯動實現“輪廓控制”,1個或多個直線軸的 “單向重復定位精度”小于等於(優於)1.1μm;或

b.可以5軸或5軸以上聯動,實現“輪廓控制”;

(2)具備以下所有特徵、用於去除金屬、陶瓷或“複合材料”的機床:

a.通過以下任一方式去除材料:

(a)水或其他液體噴射,包括採用研磨添加劑的射流;

(b)電子束;或

(c)“鐳射”束;及

b.可以2個或2個以上轉軸聯動,實現“輪廓控制”。

2.用於選擇性材料去除,生産出具有以下所有特性的非球面光學表面的數控光學精加工機床:

(1)形位誤差小于(優於)1.0μm;

(2)表面粗糙度小于(優於)100nm rms;

(3)4軸或4軸以上聯動,實現“輪廓控制”;且

(4)採用以下任一工藝:

a.“磁流變精加工技術(MRF)”;

b.“電流變精加工技術(ERF)”;

c.“粒子束精加工技術”;

d.充氣膜精加工技術;或

e.“射流精加工技術”。

技術説明:就以上條目而言:

①“磁流變精加工技術”是一種材料去除工藝,使用的研磨劑是一種由磁場控制其粘度的磁性流體。

②“電流變精加工技術”是一種材料去除工藝,所使用的研磨劑是一種由電場控制其粘度的液體。

③“粒子束精加工技術”採用活性原子電漿體(RAP)或離子束進行選擇性材料去除。

④“充氣膜精加工技術”是一種通過加壓膜變形在一個較小的區域內接觸工件的過程;

⑤“射流精加工技術”利用液流去除材料。

3.具有下列所有特徵的熱“等靜壓機”及為之專門設計的部件及配件:

(1)封閉型腔中熱環境可控,且內膛內徑大於等於406mm;且

(2)具備以下任一特徵:

a.最大工作壓力大於207MPa;

b.受控熱環境大於1773K(1500℃);或

c.設備可注入烴,並可除去氣態降解産物。

4.專門設計用於進行沉積、處理和無機覆蓋過程式控制制、涂層和表面改性的設備:

(1)具備以下所有特徵的化學氣相沉積(CVD)生産設備:

a.採用下列任一改進工藝:

(a)脈衝式化學氣相沉積;

(b)受控成核熱沉積(CNTD);或

(c)電漿體增強或電漿體輔助化學氣相沉積;且

b.具備以下任一特徵:

(a)採用高真空(小于等於0.01Pa)旋轉密封;或

(b)採用原位涂層厚度控制;

(2)電子束電流大於等於5mA的離子注入生産設備;

(3)具備以下任一特徵,供電系統額定功率大於80kW的電子束物理氣相沉積(EB-PVD)生産設備:

a.用“鐳射”液位控制系統,精確調整坯體在池中進給速率;或

b.採用電腦控制的速率監視器,根據蒸發氣流中電離原子的光致光照原理,控制含有2種或2種以上元素涂層的沉積速率;

(4)具備以下任一特徵的電漿體噴塗生産設備:

a.噴塗之前,在一個能抽空到0.01Pa的真空室內的減壓受控環境中進行操作(噴槍出口上方小于等於300mm的測量值小于等於10kPa);或

b.採用原位涂層厚度控制;

(5)在沉積速率大於等於15μm/h、電流密度大於等於0.1mA/mm2的濺射沉積生産設備;

(6)以電磁柵格實現陰極電弧斑點定向控制的陰極電弧沉積生産設備;

(7) 可對下列任一項進行原位測量的離子電鍍生産設備:

a.基體上的涂層厚度和速率控制;或

b.光學特性。

5.下列尺寸檢測或測量系統、設備以及“電子組件”:

(1) 電腦控制或“數控”坐標測量機(CMM),按照ISO 10360-2(2009)標準,在機床工作範圍(即在坐標軸長度)內,任一點長度測量(E0,MPE)的三維(空間的)最大允許誤差小于等於(優於)1.7+L/1000μm(L為測量長度,單位為mm);

(2)下列線位移與角位移測量儀:

a.具備以下任一特徵的“線位移”測量儀:

(a)在0.2mm測量範圍內,解析度小于等於(優於)

0.2μm的非接觸式測量系統;

(b)具備以下所有特徵的線性差動變壓器(LVDT)系統:

具備以下任一特徵:

i.“全工作範圍”小于(包括)±5mm的線性可變差動變壓器,“線性度”在整個工作範圍內測量時小于等於(優於)0.1%;或

ii.“全工作範圍”大於±5mm的線性可變差動變壓器,“線性度”在0至5mm範圍內測量時小于等於(優於)0.1%;且

在標準環境試驗室,溫度變化為±1K的條件下,每天漂移量小于等於(優於)0.1%;

技術説明:

就上文條目b而言,“全工作範圍”是線性可變差動變壓器的總直線位移的一半。例如,一個“全工作範圍”為±5mm的線性可變差動變壓器可以測量10mm的總線性位移。

(c)具備以下所有特徵的測量系統:

裝有“鐳射器”;

滿刻度範圍內“解析度”小于等於(優於)0.200nm;且

在20±0.01℃溫度條件下測試30s,並進行空氣折射率補償時,能夠實現測量範圍內任一點的“測量不確定性”小于等於(優於)(1.6+L/2000)nm(L為測量長度,單位為mm);或

(d)專為設計用於上述系統提供反饋能力的“電子組件”;

b.角位移測量儀;

註釋:上述條目不適用於採用準直光束(例如,“鐳射”)檢測鏡角位移的光學儀器,如自動準直儀。

(3)靈敏度小于等於(優於)0.5nm,通過光散射法測量表面粗糙度(包括表面缺陷)的設備。

6.具有下列任一特徵的“機器人”以及為其專門設計的控制器和“末端執行器”:

(1)能實時進行全三維成像處理或全三維“景象分析”,並生成或修改“程式”或數控程式數據;

技術説明:

“景象分析”限制不包括通過既定角度查看的第三維近似值,或為判別核定任務(21/2D)的深度或紋理所作的有限灰度描述。

(2)依照國家安全標準,專門設計適用於潛在爆炸環境的機器人;

(3)在不降低操作性能的情況下,抗輻射性能超過5×103Gy(Si);或

(4)特別設計使其可在海拔30000m以上操作。

7.下列專為機床、尺寸檢驗或測量系統及設備設計的組件或裝置:

(1)總體“精度”小于(優於)(800+(600×L/1000))nm(L為有效長度,單位:mm)的直線位置反饋裝置;

(2)“精度”小于(優於)0.00025°的回轉位置反饋裝置;

(3)能使機床精度提高至或超過此類所列標準的“複合旋轉工作臺”和“擺動主軸”。

8.根據製造商技術規範,可配備“數控”單元或電腦控制裝置的的旋壓成型機和強力旋壓成形機,且具備以下所有特徵:

(1)具有3個或3個以上的控制軸,可實現聯動“輪廓控制”;且

(2)旋輪壓力大於60kN。

技術説明:

同時具有旋壓成形和強力旋壓成形機床均視為強力旋壓成形機床。

軟體

1.專為“研製”、“生産”或“使用”上述設備而設計或改進的“軟體”;或

2.經專門“設計”或“改進”後可令不在列管清單的設備具備上述設備功能的“軟體”。

技術

用於“研製”、“生産”或“使用”上述設備或“軟體”的“技術”。

(三)電子元器件

系統、設備和部件

1.下列電子元器件物項:

(1)下列通用積體電路:

註釋1:對已經確定功能的的晶圓(成品或半成品),根據(1)條參數評估其狀態。

註釋2:積體電路包括下列類型:

“單片積體電路”;

“混合積體電路”;

“多晶片積體電路”;

“薄膜型積體電路”,包括藍寶石襯底的硅積體電路;

“光積體電路”;

“三維積體電路”;

“單片微波積體電路”(“MMICs”)。

a.具有以下抗輻射能力之一的積體電路:

(a)總劑量大於等於5×10³ Gy(Si)

(b)翻轉注量率大於等於5×106 Gy(Si)/s;或

(c)中子注量(中子能量等效于1MeV)大於等於5×1013 n/cm2的硅或其他等效材料;

註釋:以上類別不適用於金屬絕緣體半導體(MIS)。

b.“微處理器電路”、“微電腦電路”、微控制器電路、化合物半導體製成的記憶體積體電路、模/數轉換器、包含模數轉換器和存儲處理數據的積體電路、數/模轉換器、“信號處理”用光電積體電路或“光積體電路”、現場可編程邏輯器件、功能不明的定制積體電路或使用積體電路且狀態不明的設備、快速傅立葉變換(FFT)處理器、電擦除可編程只讀記憶體(EEPROMs)、快閃記憶體、靜態隨機存取記憶體(SRAMs)或磁性隨機存取記憶體(MRAMs),且具備以下任一特點:

(a)額定工作環境溫度高於398K(+125℃);

(b)額定工作環境溫度低於218K(-55℃);或

(c)額定工作環境溫度整體範圍在218 K(-55℃)至398 K(+125℃);

註釋:該類不適用於民用汽車或鐵路系統應用的積體電路。

c.用於“信號處理”的電光路和“光積體電路”,且具有以下所有特徵:

(a)包含的“鐳射”二極體大於等於1個;

(b)包含的光檢測元件大於等於1個;且

(c)光波導;

d.具備下列任一特徵的現場可編程邏輯器件:

(a)單端數字輸入/輸出最大數大於700;或

(b)“累加的單向串口收發器峰值數據率”大於等於500Gb/s;

註釋:該類別包括:

簡單可編程邏輯器件(SPLDs);

複雜可編程邏輯器件(CPLDs);

現場可編程門陣列(FPGAs);

現場可編程邏輯陣列(FPLAs);

現場可編程互連器(FPICs)。

e.神經元網路積體電路;

f.製造商對其功能不明的定制積體電路,或對使用積體電路的設備狀況不明的定制積體電路,且具備以下任一特徵:

(a)引腳數大於1500個;

(b)“單門傳輸延時”的典型值少於0.02ns;或

(c)工作頻率大於3GHz;

g.具備以下特徵之一的直接數字頻率合成器(DDS)積體電路:

(a)數模轉換器(DAC)時鐘頻率大於等於3.5GHz,且其解析度大於等於10位,小于12位;或

(b)數模轉換器時鐘頻率大於等於1.25GHz,數模轉換器解析度大於等於12位;

技術説明:

數模轉換器時鐘頻率可用主時鐘頻率或輸入時鐘頻率表示。

(2)下列微波或毫米波元件:

a.(a)下列脈衝或連續波行波 “真空電子管”:

工作頻率大於31.8GHz的真空電子管;

所用陰極電熱元件從接通至達到額定射頻功率的時間小于3s的真空電子管;

“相對頻寬”大於7%,或峰值功率大於2.5kW的耦合諧振腔或其派生裝置;

基於螺旋管、折疊導波管、蛇形波導電路的裝置或其派生真空電子管,且具備以下任一特性:

i.“暫態頻寬”大於1個倍頻,平均功率(單位:kW)與頻率的乘積(單位:GHz)大於0.5;

ii.“暫態頻寬”小于等於1個倍頻,平均功率(單位:kW)與頻率的乘積(單位:GHz)大於1;

iii.“宇航級”;或

iv.裝有網狀電子槍的裝置;

“相對頻寬”大於等於10%的裝置,且具備以下所有特徵的真空電子管:

i.環形電子波束; 

ii.非對稱電子波束;或

iii.多電子波束;

(b)增益大於17dB的正交場放大真空電子管;

(c)設計用於“真空電子裝置”的熱陰極,在額定工作條件下發射電流密度超過5A/cm2,或在額定工作條件下發射脈衝(非連續性)電流密度超過10A/cm2

(d)具有“雙模式”運作能力的“真空電子裝置”;

技術説明:

“雙模式”是指“真空電子管”的電子束電流可通過使用柵控在連續波和脈衝波模式運作下進行轉換,並且産生的峰值脈衝輸出功率大於連續波輸出功率。

b.具備以下特徵之一的“微波單片積體電路”(MMIC)放大器:

(a)額定工作頻率大於2.7GHz、小于等於6.8GHz,“相對頻寬”大於15%,且具備以下任一特徵:

當頻率大於2.7GHz、小于等於2.9GHz,峰值飽和功率輸出大於75W(48.75dBm);

當頻率大於2.9GHz、小于等於3.2GHz,峰值飽和功率輸出大於55W(47.4dBm);

當頻率大於3.2GHz、小于等於3.7GHz,峰值飽和功率輸出大於40W(46dBm);或

當頻率大於3.7GHz、小于等於6.8GHz,峰值飽和功率輸出大於20W(43dBm);

(b)額定工作頻率大於6.8GHz、小于等於16GHz,“相對頻寬”大於10%,且具備以下任一特徵:

當頻率大於6.8GHz、小于等於8.5GHz,峰值飽和功率輸出大於10W(40dBm);或

當頻率大於8.5GHz、小于等於16GHz,峰值飽和功率輸出大於5W(37dBm);

當頻率大於16GHz、小于等於31.8GHz,且額定工作峰值飽和功率輸出大於3W(34.77dBm),“相對頻寬”大於10%;

當頻率大於31.8GHz、小于等於37GHz,且額定工作峰值飽和功率輸出大於0.1nW(-70dBm); 

當頻率大於37GHz、小于等於43.5GHz,且額定工作峰值飽和功率輸出大於1W(30dBm),“相對頻寬”大於10%;

當頻率大於43.5GHz小于等於75GHz,且額定工作峰值飽和功率輸出大於31.62mW(15dBm),“相對頻寬”大於10%;或

當頻率大於75GHz小于等於90GHz,且額定工作峰值飽和功率輸出大於10mW(10dBm),“相對頻寬”大於5%;或

當頻率大於90GHz,額定工作峰值飽和功率輸出大於0.1nW(-70dBm);

註釋1:額定工作頻率包括多個頻率範圍內的微波單片積體電路,其狀態通過最低峰值飽和功率輸出閾值確定。

註釋2:本類不適用於專門設計用於其他用途的微波單片積體電路,例如電信、雷達、汽車等。

c.具備以下任一特徵的分立微波電晶體:

(a)額定工作頻率大於2.7GHz、小于等於6.8GHz,且具備以下任一特徵:

當頻率大於2.7GHz、小于等於2.9GHz,峰值飽和功率輸出大於400W(56dBm);

當頻率大於2.9GHz、小于等於3.2GHz,峰值飽和功率輸出大於205W(53.12dBm);

當頻率大於3.2GHz、小于等於3.7GHz,峰值飽和功率輸出大於115W(50.61dBm);或

當頻率大於3.7GHz、小于等於6.8GHz,峰值飽和功率輸出大於60W(47.78dBm);

(b)額定工作頻率大於6.8GHz、小于等於31.8GHz,且具備以下任一特徵:

當頻率大於6.8GHz、小于等於8.5GHz,峰值飽和功率輸出大於50W(47dBm);

當頻率大於8.5GHz、小于等於12GHz,峰值飽和功率輸出大於15W(41.76dBm);

當頻率大於12GHz、小于等於16GHz,峰值飽和功率輸出大於40W(46dBm);或

當頻率大於16GHz、小于等於31.8GHz,峰值飽和功率輸出大於7W(38.45dBm);

(c)當頻率大於31.8GHz、小于等於37GHz,額定工作峰值飽和功率輸出大於0.5W(27dBm);

(d)當頻率大於37GHz、小于等於43.5GHz,額定工作峰值飽和功率輸出大於1W(30dBm);或

(e)當頻率大於43.5GHz,額定工作峰值飽和功率輸出大於0.1nW(-70dBm);

註釋1:額定工作頻率包含跨1個以上所列頻段的電晶體,其狀態由最低峰值飽和功率輸出閾值決定。

註釋2:本類包括裸晶片、安裝在載體上的晶片或安裝在封裝上的晶片。有些分立電晶體也可稱為功率放大器。

d.微波固態放大器和含微波固態放大器的微波組件/模組,且具備以下任一特徵:

(a)額定工作頻率大於2.7GHz、小于等於6.8GHz,“相對頻寬”大於15%,且具備以下任一特徵:

當頻率大於2.7GHz、小于等於2.9GHz,峰值飽和功率輸出大於500W(57dBm);

當頻率大於2.9GHz、小于等於3.2GHz,峰值飽和功率輸出大於270W(54.3dBm);

當頻率大於3.2GHz、小于等於3.7GHz,峰值飽和功率輸出大於200W(53dBm);或

當頻率大於3.7GHz、小于等於6.8GHz,峰值飽和功率輸出大於90W(49.54dBm);

(b)額定工作頻率大於6.8GHz、小于等於31.8GHz,“相對頻寬”大於10%,且具備以下任一特徵:

當頻率大於6.8GHz、小于等於8.5GHz,峰值飽和功率輸出大於70W(48.54dBm);

當頻率大於8.5GHz、小于等於12GHz,峰值飽和功率輸出大於50W(47dBm);

當頻率大於12GHz、小于等於16GHz,峰值飽和功率輸出大於30W(44.77dBm);或

當頻率大於16GHz、小于等於31.8GHz,峰值飽和功率輸出大於20W(43dBm);

(c)當頻率大於31.8GHz、小于等於37GHz,額定工作峰值飽和功率輸出大於0.5W(27dBm);

(d)當頻率大於37GHz、小于等於43.5GHz,額定工作峰值飽和功率輸出大於2W(33dBm),“相對頻寬”大於10%;

(e)額定工作頻率大於43.5GHz,且具備以下任一特徵:

當頻率大於43.5GHz、小于等於75GHz,峰值飽和功率輸出大於0.2W(23dBm),且“相對頻寬”大於10%;

當頻率大於75GHz、小于等於90GHz,峰值飽和功率輸出大於20mW(13dBm),且“相對頻寬”大於5%;或

當頻率大於90GHz,峰值飽和功率輸出大於0.1nW(-70dBm);

註釋: 額定工作頻率包含跨1個以上所列頻段組件,其狀態由最低峰值飽和功率輸出閾值決定。

e.電或磁可調諧帶通濾波器或帶阻濾波器具有5個以上可調諧振器的,其1.5:1波段(fmax/fmin)調諧時間不大於10µs的,且具備以下任一特性:

(a)通帶頻寬大於中心頻率的0.5%;或

(b)阻帶頻寬小于中心頻率的0.5%;

f.變頻器與諧波混頻器,且具備以下任一特徵:

(a)設計用於擴大“信號分析儀”頻率範圍,使其大於90GHz;

(b)設計用於擴大信號發生器的工作範圍如下: 

大於90GHz;

大於43.5GHz、小于90GHz頻率範圍內,輸出功率大於100mW(20dBm);

(c)設計用於擴大網路分析器的工作範圍如下:

大於110GHz;

大於43.5GHz、小于90GHz頻率範圍內,輸出功率大於31.62mW(15dBm);

大於90GHz、小于110GHz頻率範圍內,輸出功率大於1mW(0dBm);或

(d)設計用於擴大微波測試接收器的頻率範圍,使其大於110GHz;

g.含上述“真空電子器件”的微波功率放大器,且具備以下所有特性:

(a)工作頻率大於3GHz;

(b)平均輸出功率與品質比率超過80W/kg;且

(c)體積小于400cm3

註釋:本條目不適用在“國際電信聯盟分配”的無線通信業務頻段內工作的設備(但不包括無線電測向設備)。

h.至少由一個行波“真空電子器件”、一個“微波單片積體電路”(“MMIC”)和一個整合電子功率調節器組成的微波功率模組(MPMs),且具備以下所有特徵:

(a)從關機到滿負荷工作狀態的時間小于10s;

(b)體積小于最大額定功率(單位:瓦特)乘以10cm3/W;且

(c)“暫態寬頻”大於1倍頻(fmax>2fmin),且具備以下任一特徵:

頻率小于等於18GHz;射頻輸出功率大於100W;或

頻率大於18GHz;

技術説明:

上文b條目中的體積可按下述方法計算。例如,最大額定功率為20W,則體積應為20W×10cm3/W=200cm3

上文a條目中的開機時間是指從關機狀態到滿負荷工作所需的時間,即包括了微波功率模組的預熱時間。

i.專用於單邊相位噪聲(單位:dBc/Hz)小于(或優於)-(126 + 20log10F-20log10f)的振蕩器或振蕩器組件,其頻率範圍10Hz點F點10kHz;

技術説明:

在上述類別中,F表示工作頻率偏移值(單位:Hz),f表示工作頻率(單位:MHz)。

j.“頻率合成器”“電子組件”的“頻率開關時間”“頻率合成器”、有“頻率開關時間”的“電子組件”,且具備以下任一特徵:

(a)小于143ps;

(b)合成頻率大於4.8GHz、小于等於31.8GHz,頻率變化大於2.2GHz時,小于100µs

(c)合成頻率大於31.8GHz、小于等於37GHz,頻率變化超過550MHz時,小于500µs

(d)合成頻率大於37GHz、小于等於90GHz,頻率變化超過2.2GHz時,小于100µs;或

(e)合成頻率大於90GHz時,小于1ms;

k.工作頻率大於2.7GHz的“發射/接收模組”,“發射/接收微波單片積體電路”,“發射模組”和“發射型微波單片積體電路”,且具備以下所有特徵:

(a)任何通道的峰值飽和功率(單位:W)除以最大工作頻率的平方(單位:GHz)大於505.62[Psat>505.62 W*GHz2/fGHz2]。

(b)任何通道的“相對頻寬”大於等於5%;

(c)任何平面側的長度d(單位:cm)除以最小工作頻率(單位:GHz)小于等於15[d 點15cm*GHz*N/fGHz],其中N為發射或發射/接收通道的數目;且

(d)每個通道配置一個電子可變移相器。

技術説明:

“發射/接收模組”是一種多功能“電子組件”,其可為信號的發射和接收提供雙向振幅和相位控制。

“發射模組”是一種可為信號的傳輸提供振幅和相位控制的“電子組件”。

“傳輸/接收微波單片積體電路”是一種多功能的“單片微波積體電路”,其可為信號的傳輸和接收提供雙向振幅和相位控制。

“發射微波單片波積體電路”是一種可為信號的發射提供振幅和相位控制的“微波單片積體電路”。

k(c)條公式中最低的工作頻率(fGHz)應為2.7GHz,用於向下延伸到2.7GHz及以下額定工作範圍的發射/傳輸模組或發射模組[d點15cm*GHz*N/2.7 GHz。

k條適用於配備或不配備散熱器的“發射/接收模組”或“發射模組”。k(c)中d的值不包括作為散熱器的“發射/接收模組”或“發射模組”的任一部分。

“發射/接收模組”、“發射模組”、“發射/接收微波單片積體電路”或“發射型微波單片積體電路”可具有或不具有N個整合輻射天線元件,其中N是發射或發射/接收通道的數目。

(3)下列聲波器件以及為其專門設計的部件:

a.具備以下任一特徵的聲表面波和掠射(淺表)聲波器件:

(a)載波頻率大於6GHz;

(b)載波頻率大於1GHz、小于等於6GHz,且具備以下任一特徵:

“頻率旁瓣抑制”超過65dB;

最大延時與頻寬(時間單位:µs,寬頻單位:MHz)的乘積大於100;

頻寬大於250MHz;或

色散延遲大於10µs;或

(c)載波頻率1GHz以下,且具備以下任一特徵:

最大延時頻寬(時間單位:µs,寬頻單位:MHz)的乘積大於100;

色散延遲大於10µs;或

“頻率旁瓣抑制”超過65dB,且頻寬大於100MHz;

b.允許在超過6GHz的頻率下直接處理信號的體(體積)聲波器件;

c.通過聲波(體波或表面波)和光波相互作用,直接處理(包括光譜分析、譜相關或譜卷積)信號或圖像的聲光“信號處理”器件;

(4)專門設計在低於至少一種“超導”成分的“臨界溫度”下運作的電子器件和電路,製造包含“超導”材料,且具備以下任一特徵:

a.使用“超導”門進行數字電路電流切換,延時/門(單位:s)與功耗/門(單位:W)乘積小于10-14 J;或

b.使用Q值超過10000的諧振電路在所有工作頻率上進行頻選;

(5)下列高能設備:

a.下列“電池”:

(a)“能量密度”在20℃時,大於550Wh/kg的“原電池”;

(b)“能量密度”在20℃時,大於350Wh/kg的“蓄電池”;

技術説明:

就“高能設備”而言,“能量密度”(Wh/kg)的計算方式:額定電壓乘以額定容量(單位:Ah),再除以電池品質。如果額定容量不明,“能量密度”也可通過下述方法計算:額定電壓的平方乘以放電時間(單位:h),除以放電負載(單位:Ohms),再除以電池品質(單位:kg)。

就“高能設備”而言,“電池”是指一種電化學器件,擁有正負兩極、電解質,並能向外供電。它是蓄電池的基本構建塊。

就“高能設備”而言,“原電池”是指不能以任何方式再充電的“電池”。

就“高能設備”而言,“蓄電池”指可以通過外部電源再充電的“電池”。

註釋:高能元件不適用於電池組(含單電池的電池組)。

b.下列高儲能電容器:

(a)重復率小于10Hz(單穩電容器)且具備以下所有特徵的電容器:

額定電壓大於等於5kV;

能量密度大於等於250J/kg;且

總能量大於等於25kJ;

(b)重復率大於等於10Hz(重復額定電容器),且具備以下所有特徵的電容器:

額定電壓大於等於5kV;

能量密度大於等於50J/kg;

總能量大於等於100J;且

充/放電迴圈壽命大於等於10000次;

(c)專門設計在不到1s時間內充滿電或放完電的“超導”電磁體和螺線管,且具備以下所有特徵:

註釋: 本條目不適用於專門設計用於磁共振成像(MRI)醫療器械的“超導”電磁體和螺線管。

放電的第1s內釋放的能量超過10kJ;

超導電磁線圈內徑大於250mm;且

額定的磁感應大於8T或超導電磁線圈的“總電流密度”大於300A/mm2

(d)“宇航級”太陽能電池、太陽能電池蓋片(CIC)、太陽能電池板、太陽能電池陣列,在301K(28℃)、輻照強度1367W/m2(模擬AM0狀態)的條件下,最小平均光電轉換效率大於20%;

技術説明:

“AM0”(即“空氣品質零”)是指當地球與太陽之間的距離為一個天文單位(AU)時,在地球大氣層外接受太陽照射的狀態。

(6)“精度”小于(優於)等於1.0弧秒的旋轉輸入型絕對位置編碼器以及專門設計的編碼器環、盤或秤;

(7)使用電、光或電子輻照控制開關方法的固態脈衝功率切換晶閘管裝置和“晶閘管模組”,且具備以下任一特徵:

a.最大導通電流上升率(di/dt)大於30000A/µs,斷態電壓大於1100V;或

b.最大導通上升率(di/dt)大於2000A/µs,且具備以下所有特徵:

(a)斷態峰值電壓大於等於3000V;且

(b)峰值(浪涌)電流大於等於3000A;

註釋1:上文(7)條包括:

硅控整流器(SCRs);

電觸發晶閘管(ETTs);

光觸發晶閘管(LTTs);

整合門極整流晶閘管(IGCTs);

柵關斷晶閘管(GTOs);

MOS控制晶閘管(MCTs);

固態電子。

註釋2:  上文(7)條目不適用於民用鐵路或“民用飛機”應用設備的晶閘管裝置和“晶閘管模組”。

技術説明:

就7條而言,“晶閘管模組”包括一個或多個晶閘管裝置。

(8)具備以下所有特徵的固態功率半導體開關、二極體或“模組”:

a.最大額定工作結溫度大於488K(215℃);

b.重復峰值斷態電壓(阻斷電壓)大於300V;且

c.直流電流大於1A。

註釋:上述斷態重復峰值電壓包括漏源電壓、集電極與射極電壓的電壓、反向峰值電壓和反向阻斷峰值電壓。

2.下列通用“電子組件”、模組和設備:

(1) 下列記錄設備和示波器:

a.具備以下所有特徵的數字數據記錄器:

(a)磁片或固態硬碟記憶體持續“連續吞吐率”大於6.4Gbit/s;且

(b)在被記錄的同時可以進行射頻信號數據分析的處理器;

技術説明:

就具備並行總線結構的記錄儀而言,“連續吞吐率”是最高字節數率與字位數的乘積。

“連續吞吐率”是在保持輸入數字數據率分析儀轉換率的同時,不損失任何資訊的情況下,儀錶能夠輸出到磁片或固態硬碟記憶體的最大速率。

b.實時示波器的垂直均方根(rms)噪聲電壓低於縱坐標全量程2%,該縱坐標為每信道輸入3dB頻寬不低於60GHz的情況下,提供最小的噪聲值;

(2)下列“信號分析儀”:

a.頻率範圍大於31.8GHz、小于37GHz, 3dB解析度頻寬(RBW)大於10MHz的“信號分析儀”;

b.頻率範圍大於43.5GHz、小于90GHz內,顯示平均噪聲電平(DANL)小于(優於)-150dBm/Hz的“信號分析儀”;

c.頻率範圍大於90GHz的“信號分析儀”;

d.具備下列所有特徵的“信號分析儀”:

(a)“實時寬頻”大於170MHz;且

(b)具有以下任一特徵:

對於持續時間小于等於15µs的信號,由於其間隔或窗口效應,信號從滿振幅降低到不超過3dB時的發現概率為100%;或

對於持續時間為小于等於15µs的信號,具有100%的觸發(捕捉)的“頻率掩模觸發”的功能;

技術説明:

上文條所述的發現概率也稱為攔截概率或捕獲概率。

就上文條而言,100%發現概率持續時間相當於特定電平測量不確定性所需的最短信號持續時間。

註釋:上述類別不適用於僅使用恒百分比頻寬濾波器(也稱倍頻或分數倍頻濾波器)的“信號分析儀”。

(3) 具備以下任一特徵的信號發生器:

a.在頻率大於31.8GHz、小于等於37GHz範圍內規定産生的脈衝調製信號,且具備以下所有特徵:

(a)“脈衝持續時間”小于25ns;且

(b)開關率大於等於65dB;

b.在大於43.5GHz、小于90GHz頻率範圍內,輸出功率大於100mW(20dBm);

c.具備以下任一特徵的“頻率轉換時間”:

(a)在頻率大於4.8GHz、小于等於31.8GHz,頻率變化大於2.2GHz時,“頻率轉換時間”小于100µs

(b)在頻率大於31.8GHz、小于等於37GHz,頻率變化大於550MHz時,“頻率轉換時間”小于500µs;或

(c)在頻率大於37GHz、小于等於90GHz,頻率變化大於2.2GHz時,“頻率轉換時間”小于100µs

4.具有以下任一特徵的網路分析儀:

a.大於43.5GHz、小于90GHz工作頻率範圍內,輸出功率大於31.62mW(15dBm);

b.大於90GHz、小于110GHz工作頻率範圍內,輸出功率大於1mW(0dBm);

c.大於50GHz、小于110GHz頻率的“非線性向量測量功能性”;或

技術説明:

“非線性向量測量功能”是指儀器設備具備檢測或分析大信號域和非線性失真信號的能力。

d.最大工作頻率大於110GHz;

(5)具備以下所有特徵的微波測試接收機:

a.最高工作頻率大於110GHz;且

b.能夠同時測量振幅和相位;

(6)具備以下所有特徵的原子頻率標準:

a.“宇航級”;

b.長期穩定性小于(優於)1×10-11/月的非銣原子;或

c.非“宇航級”,並具備以下所有特徵:

(a)標準銣原子;

(b)長期穩定性小于(優於)1×10-11/月;且

(c)總功耗小于1W。

試驗、檢測和生産設備

1.下列半導體器件或材料製造設備以及為其專門設計的部件和配件:

(1)具有以下任一特徵的離子注入機:

a.經過設計和優化,可在束流能量大於等於20keV或束流大於等於10mA時,用於氫、氘、氦注入;

b.具備直接寫入能力;

c.在束流能量大於等於65keV、束流大於等於45mA時,用於將高能氧注入加熱半導體材料“襯底”;或

d經過設計和優化,可在束流能量大於等於20keV或束流大於等於10mA時,用於將硅注入溫度600℃以上半導體材料“襯底”;

(2)下列光刻設備和能夠産生小于等於45nm尺寸特徵的壓印光刻設備:

a.使用光學或X射線方法進行晶圓加工的重復(對晶圓進行的直接工序)或步進掃描(掃描器)對準和曝光設備,且具備以下任一特徵:

(a)光源波長小于193nm;或

(b)能夠産生最小解析度尺寸”(MRF)小于等於45nm“的圖形;

技術説明

“最小解析度尺寸”(MRF)通過以下公式計算:
MRF=  (曝光光源波長,nm)x(K因子)

          數值孔徑

(3)a.專門設計採用偏轉聚焦電子束、離子束或“鐳射”束用於掩膜製造的設備;

b.設計用於器件加工的設備,採用直接寫入方法。

(4)設計用於積體電路的掩膜和光柵;

2.專門設計用於測試以下成品或半成品半導體器件的設備,以及為其專門設計的部件和配件:

(1) 用於在大於31.8GHz頻率下測試電晶體器件S參數;

(2) 用於測試上述的微波積體電路。

材料

1.由以下任何堆疊外延生長多層“襯底”組成的異質外延材料:

(1)硅(Si);

(2)鍺(Ge);

(3)碳化矽(SiC);或

(4)鎵或銦“III/V化合物”。

註釋:本條不適用於具有1個或1個以上P型外延層的“襯底”,外延層包括氮化鎵、氮化銦鎵、氮化鋁鎵、氮化銦鋁鎵、磷化鎵、磷化銦鎵、磷化鋁鎵或氮磷化銦鋁鎵等,且物質元素自由排序,但P型外延層在N型層之間的情況除外。

2.以下光刻膠材料以及涂有下列光刻膠材料的“襯底”:

(1)設計用於以下半導體光刻的光刻膠材料:

a.調整(優化)在小于245nm、大於15nm波長下使用的正性光刻膠;

b.調整(優化)在小于15nm、大於1nm波長下使用的光刻膠;

(2)與電子射束或離子射束一起使用,敏感度大於等0.01µc/mm2的所有光刻膠;

(3)為表面成像技術優化的光刻膠;

(4)設計或優化熱工藝或光固工藝能夠使得壓印光刻設備産生小于等於45nm尺寸特徵的所有光刻膠。

3.下列有機-無機化合物:

(1)純度(金屬基準)優於99.999%的有機金屬鋁、鎵或銦化合物;

(2)純度(無機元素基準)優於99.999%的有機砷、有機銻和有機磷化合物。

4.純度高於99.999%的磷、砷或銻的氫化物,甚至包括在惰性氣體或氫中稀釋後。

註釋: 上條不適用於惰性氣體或氫含量大於等於20%氫化物。

5.碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)、氮化鋁(AlN)或氮化鋁鎵(AlGaN)半導體“襯底”,或錠、球等20℃下電阻率大於10000Ωcm的材料。

6.第5條所述的“襯底”,至少有一層碳化矽、氮化鎵、氮化鋁或氮化鋁鎵外延層。

軟體

1.專門設計用於“研製”、“生産”或“使用”上述設備的“軟體”。

2.經專門“設計”或“改進”後可令不在列管清單的設備具備上述設備功能的“軟體”。

技術

用於“研製”、“生産”或“使用”上述設備或材料的“技術”。

(四)感測器和“鐳射器”

光學感測器

1.下列光學感測器或設備及部件:

(1)下列光學感測器的專用配套部件:

a.“宇航級”製冷器;

b.製冷源溫度低於218K(-55℃)的非“宇航級”製冷器:

(a)平均無故障時間或平均故障間隔時間大於2500小時的閉路迴圈製冷器;

(b)(外)孔(外)直徑小于8mm焦耳-湯姆生(JT)自調微型冷卻器;

c.成分或結構經特別加工,或涂覆改性塗料,對聲、熱、慣性、電磁或核輻射敏感的傳感光纖。

相機

1.下列相機、系統或設備及部件:

(1)下列儀錶相機以及專門為其設計的部件: 

註釋:上文所列具有模組結構的儀錶相機,應按照製造商説明書,通過其使用可用插件後的最大能力進行評估。

a.高速攝影記錄相機,且其能使用8mm16mm各種規格膠片,記錄期間膠片被連續推動,幀率大於13150幀/秒;

註釋:上條不適用於為民用攝影記錄相機。

b.膠片不移動的機械高速相機,且其能以1000000幀/秒的速度在35mm膠片上全幀幅記錄數據,或以按比例較高的幀頻在較低幀幅上記錄,或以按比例較低的幀頻在較高幀幅上記錄;

c.下列機械或電子超高速掃描相機:

(a)記錄速度大於10mm/μs的機械或電子快速掃描相機;

(b)暫態解析度優於50ns的電子快速掃描相機;

d.記錄速度大於每秒1000000幀的電子分幀相機;

e.具有下述所有特徵的電子相機:

(a)電子快門速度(門控能力)小于1μs/全幀;且

(b)讀出時間允許幀速大於125全幀/秒;

f.具有下述所有特徵的插件:

(a)專門設計用於本條所述的、具有模組化結構的儀錶相機;且

(b)按照製造商的説明書要求,使這些相機滿足上文規定的技術要求;

(2)下列成像相機:

註釋: 上條不適用於專門為電視廣播用途設計的錄影機。

a.整合固態感測器,峰值響應在10nm至30000nm波長範圍內的視頻錄影機,且具有以下所有特徵:

(a)具備以下任一特徵:

對於黑白相機,每個固態陣列包含的“有源像素”大於4×106個;

對於包含三個固態陣列的彩色相機,每個固態陣列包含的“有源像素”大於4×106個;或

對於包含一個固態陣列的固態陣列彩色相機,每個固態陣列包含的“有源像素”大於12×106個;且

(b)具有以下任一特徵:

裝有以下所述的光學反射鏡;

裝有以下所述的光學控制設備;或

具有對內部産生的‘相機跟蹤數據’註釋的功能;

技術説明:

關於本條款,應該用捕捉移動影像的最大“有源像素數”來對數位相機進行評估。

關於本條款,“相機跟蹤數據”是指相對於地球的相機視線方向所需的資訊。這包括:(a)相機視線相對於地球磁場方向的水準角度;以及(b)相機視線與地球水準線之間的垂直角度。

b.具有下述所有特徵的掃描相機和掃描相機系統:

(a)峰值響應在為10nm至30000nm波長範圍;

(b)包含8192個以上像元的線性探測器陣列;且

(c)單方向機械式掃描;

註釋:上文不適用於為以下任一種裝置專門設計的掃描相機及掃描相機系統:

工業用或民用影印機;

專門為民用固定近距離掃描應用(如:複製文件、藝術品或相片中的影像或圖片)設計的圖像掃描器;

醫療設備。

c.含具有下述任一特徵的圖像增強管的成像相機:

(a)具有以下所有特徵:

峰值響應400nm至1050nm波長範圍內;

使用以下任一裝置進行電子圖像放大:

  1. 孔間距為小于等於12μm的(指中心到中心的距離)的微通道板;或
  2. 專門設計或改進用於在不通過微通道板等方式實現“電荷倍增”,且其非二進位像素間距為小于500μm的電子傳感裝置;且

以下任一光電陰極:

  1. 光敏度大於350µA/lm的多鹼光電陰極(例如S-20和S-25);
  2. 砷化鎵或銦鎵砷光陰極;或
  3. 最大“輻射靈敏度”大於10mA/W的其他“III/V族化合物”半導體光電陰極;

(b)具有以下所有特徵:

峰值響應1050nm至1800nm波長範圍內;

使用以下任一裝置進行電子圖像放大:

  1. 孔間距為小于等於12μm(指中心到中心的距離)的微通道板;或
  2. 專門設計或改進用於在不通過微通道板等方式實現‘電荷倍增’,且其非二進位像素間距為小于500μm的電子傳感裝置;且

“III/V族化合物”半導體(如:砷化鎵或銦鎵砷)光電陰極及轉移電子光陽極,其最大“輻射靈敏度”大於15mA/W;

d.含具有下述任一特徵的“焦平面陣列”的成像相機:

(a)具有下述所有特徵的非“宇航級”“焦平面陣列”:

具有以下所有特徵:

  1. 單個像元的峰值響應在900nm至1050nm波長範圍內;且
  2. 具備以下任一特徵:
  3. 1.響應“時間常數”小于0.5ns;或
  4. 2.專門設計或改進以實現‘電荷倍增’,且其最高“輻射靈敏度”大於10mA/W;

具有以下所有特徵:

  1. 單個像元的峰值響應在1050nm至1200nm波長範圍內;且
  2. 具備以下任一特徵:
  3. 響應“時間常數”小于等於95ns;或
  4. 專門設計或改進以實現‘電荷倍增’,且其最高“輻射靈敏度”大於10mA/W;或
  5. 非“宇航級”非線性(二維)“焦平面陣列”,其單個像元的峰值響應在1200nm至30000nm波長範圍內;
  6. 具有下述所有特徵的非“宇航級”線性(一維)“焦平面陣列”:

(1)單個像元的峰值響應在1200nm至3000nm波長範圍內;

(2)具備以下任一特徵:

a.探測器元件掃描方向上的尺度與垂直掃描方向上的尺度比值小于3.8;或

b.探測器像元處理信號;

  • 5.非“宇航級”線性(一維)“焦平面陣列”,其單個元件的峰值響應在3000nm至30000nm波長範圍內;

(b)單個像元未經過濾波響應在8000nm至14000nm波長範圍內、基於微輻射測熱計的非“宇航級”非線性(二維)紅外焦平面陣列;

(c)具有下述所有特徵的非“宇航級”“焦平面陣列”:

單個元件的峰值響應在400nm至900nm波長範圍內;

為實現“電荷倍增”而專門設計或改進,並在波長超過760nm時,最高“輻射靈敏度”大於10mA/W;

像元超過32個。

註釋1:上文第4條所列的裝有“焦平面陣列”成像相機配裝,除了讀取積體電路外,還應帶有足夠的“信號處理”電子元器件。一旦供電,上述信號處理電子元器件可確保模擬信號或數字信號的最小輸出;

註釋2:第4(1)條不適用為下述任一系統或設備專門設計的配裝有線性“焦平面陣列”的成像相機,該相機元件數小于等於12個,元件內不使用延時積分;

工業用或民用侵入警報器、交通監控系統或工業監控或計數系統;

用於檢驗或監測樓宇、設備或工業程式內的熱流的工業設備;

用於檢驗、分類或分析物料性質的工業設備;

實驗室專用設備;或

醫療設備。

註釋3:  第4.(2).條不適用於下列任一特性的成像相機:

最高幀速小于等於9Hz;

具有下述所有特徵:

  1. 具有至少10mrad(豪弧度)像素的最小水準或垂直暫態視場(IFOV);
  2. 帶有不可拆卸的固定焦距鏡頭;
  3. 無“直視”顯示;且

技術説明:

“直視”是指觀察者利用帶有光安全裝置的接近人眼的微觀螢幕,直接觀察紅外成像相機捕獲的圖像。

  • 具備以下任一特徵:

1.不具有捕獲受探測視場的可視圖像的設備;或

2.該相機專為單一用途設計,且用戶無法修改其用途;或

技術説明:

説明3.b.中所述的“暫態視場”(IFOV)指“水準IFOV”或“垂直IFOV”(兩者中以較小數值者為準)。

“水準IFOV”= 水準視場(FOV)/水準探測器元件數目;

“垂直IFOV”= 垂直視場(FOV)/垂直探測器元件數目;

專門設計安裝於民用客車,並具有下述所有特徵:

  • 車內相機的安放和配置僅用於協助駕駛人員安全駕駛。

光學器件

1.下列光學設備及部件:

(1)下列光學反射鏡(反射器):

a.主動光學孔徑大於10mm,且具有下列任一特性的“可變形反射鏡”,以及為其專門設計的部件:

(a)具有下述所有特徵:

機械共振頻率大於等於750Hz;且

200個以上的驅動器;或

(b)具備以下任一特徵的鐳射損傷閾值:

使用“連續波鐳射器”時超過1kW/cm2;或

閾值大於2J/cm2,且重復頻率為20Hz時,“鐳射器”脈衝為20ns;

b.平均“等效密度”小于30kg/m²,且總重量大於10kg的輕型單片反射鏡;

c.平均“等效密度”小于30kg/m²,且總重量大於2kg的輕型“複合”或泡沫面結構反射鏡;

註釋: 第b和c條不適用於針對陸地定日鏡裝置的太陽輻射而專門設計的反射鏡。

d.為光束控制鏡像臺專門設計的反射鏡,其平面度為λ/10或更高(λ等於633nm),且具備以下任一特徵:

(a)直徑或主軸長度大於等於100mm;或

(b)具有下述所有特徵:

直徑或主軸長度大於50mm,但小于100mm;且

鐳射損傷閾值具備以下任一特徵:

  1. 使用“連續波鐳射器”,大於10kW/cm2;或
  2. 使用重復頻率為20Hz,脈衝寬度為20ns的“鐳射器”,大於20J/cm2

(2) 由硒化鋅(ZnSe)或硫化鋅(ZnS)製造的光學組件,其傳送波長範圍為3000nm至25000nm,且具備以下任一特徵:

a.體積大於100cm3;或

b.直徑或主軸長度大於80mm,厚度(深度)大於20mm;

(3) 下列“宇航級”光學系統的組件:

a.部件的“等效密度”比同樣孔徑和厚度的實體小20%;

b.具有表面涂層的原基片(單層或多層、金屬或電介質、導體、半導體或絕緣體)或者帶有保護膜的基片;

c.用於空間光學系統,有效通光孔徑大於等於1m的分塊反射鏡或組件;

d.用“複合”材料製成的組件,其在任何坐標方向的線性熱膨脹系數小于等於5×10-6

鐳射器

1.下列“鐳射器”、組件和光學設備:

(1) 具備以下任一特徵的非“可調式”連續波(CW)鐳射器:

a.輸出波長小于150nm,且輸出功率大於1W;

b.輸出波長大於等於150nm,小于等於510nm,且輸出功率大於30W;

註釋:上文第2條不適用於輸出功率小于等於50W的氬“鐳射器”。

c.輸出波長超過510nm但不超過540nm,且具備以下任一特徵:

(a)單橫模輸出,且輸出功率大於50W;或

(b)多橫模輸出,且輸出功率大於150W;

d.輸出波長大於540nm、小于等於800nm,且輸出功率大於30W;

e.輸出波長大於800nm、小于等於975nm,且具備以下任一特徵的輸出波長:

(a)單橫模輸出,且輸出功率大於50W;或

(b)多橫模輸出,且輸出功率大於80W;

f.輸出波長大於975nm、小于等於1150nm,且具備以下任一特徵:

(a)單橫模輸出,輸出功率大於500W;或

(b)具備以下任一特徵的多橫模輸出:

“插頭效率”大於18%,且輸出功率大於500W;或

輸出功率大於2kW;

註釋1:上文(b)條不適用輸出功率大於2kw、小于等於6kw,總品質大於1200kg的工業用多橫模“鐳射器”。就本註釋而言,總品質應包括“鐳射器”運作所需的所有部件,如“鐳射器”、電源、熱交換器等,但不包括用於光束調節和/或傳輸的光學部件。

註釋2:上文(b)條不適用於具有以下任一特性的多橫模工業“鐳射器”:

輸出功率大於500W、但小于等於1kw,且具有下述所有特徵:

  1. 光束參數積(BPP)大於0.7mmmrad;且
  2. ‘亮度’小于等於1024 W/(mmmrad)2

輸出功率大於1kW、但小于等於1.6kW,且BPP大於1.25 mmmrad

輸出功率大於1.6kW、但小于等於2.5kW,且BPP大於1.7mmmrad

輸出功率大於2.5kW、但小于等於3.3kW,且BPP大於2.5 mmmrad

輸出功率大於3.3kW、但小于等於4kW,且BPP大於3.5 mmmrad

輸出功率大於4kW、但小于等於5kW,且BPP大於5 mmmrad

輸出功率大於5kW、但小于等於6kW,且BPP大於7.2 mmmrad

輸出功率大於6kW、但小于等於8kW,且BPP大於12mmmrad;或

輸出功率大於8kW、但小于等於10kW,且BPP大於24mmmrad

技術説明:

就説明ii而言,“亮度”指“鐳射器”的輸出功率除以光束參數積(BPP)的平方,即:(輸出功率)/BPP2。

技術説明:

“插頭效率”指“鐳射器”輸出功率(或“平均輸出功率”)與運作“鐳射器”(包括電源/調製和熱控/熱交換系統)所需的電輸入總功率之比。

(2)具備以下任一特徵的“可調式”鐳射器:

a.輸出波長小于600nm,且具備以下任一特徵:

(a)輸出單脈衝能量大於50mJ,且“峰值功率”大於1W;或

(b)平均或連續輸出功率大於1W;

註釋:上文第a條不適用於具有多模輸出,且波長大於等於150nm、小于等於600nm,且具備以下所有特徵的染料“鐳射器”或其他液體“鐳射器”:

輸出單脈衝能量小于1.5J或“峰值功率”小于20W;且

平均或連續輸出功率低於20W;

b.輸出波長大於等於600nm,但小于等於1400nm,且具備以下任一特徵:

(a)輸出單脈衝能量大於1J,且“峰值功率”大於20W;或

(b)平均或連續輸出功率大於20W;或

c.輸出波長大於1400nm,且具備以下任一特徵:

(a)輸出單脈衝能量大於50mJ,且“峰值功率”大於1W;或

(b)平均或連續輸出功率大於1W;

(3) 下列其他半導體“鐳射器”:

註釋1:  包括帶有光輸出連接器(如光纖尾纖)的半導體“鐳射器”。

註釋2:  專為其他設備設計的半導體“鐳射器”,其管制情況取決於其他設備。

a.(a)具備以下任一特徵的單個單橫模半導體“鐳射器”:

波長小于等於1510nm,且平均或連續輸出功率大於1.5W;或

波長大於1510nm,且平均或連續輸出功率大於500mW;

(b)具備以下任一特徵的單個多橫模半導體“鐳射器”:

波長小于1400nm,且平均或連續輸出功率大於15W; 

波長大於等於1400nm,小于1900nm,且平均或連續輸出功率大於2.5W;或

波長大於等於1900nm,且平均或連續輸出功率大於1W;

(c)具備以下任一特徵的單個半導體“鐳射器”“巴條”:

波長小于1400nm,且平均或連續輸出功率大於100W;

波長大於等於1400nm,小于1900nm,且平均或連續輸出功率大於25W;或

波長大於等於1900nm,且平均或連續輸出功率大於10W;

(d)具備以下任一特徵的半導體“鐳射器”‘疊陣’(二維陣列):

波長小于1400nm,且具備以下任一特徵:

  1. 平均或連續輸出總功率小于3kW,且平均或連續輸出‘功率密度’大於500W/cm2
  2. 平均或連續輸出總功率大於等於3kW、小于等於5kW,且平均或連續輸出‘功率密度’大於350W/cm2
  3. 平均或連續輸出總功率大於5kW;
  4. 脈衝峰值 “功率密度”大於2500W/cm2;或註釋:第d條不適用於採用外延的方式製作的單片裝置。
  5. 空間相干的平均或連續輸出總功率大於150W;

波長大於等於1400nm,小于1900nm,且具備以下任一特徵:

  1. 平均或連續輸出總功率大於250W,且平均或連續輸出“功率密度”大於150W/cm2
  2. 平均或連續輸出總功率大於等於250W、小于等於500W,且平均或連續輸出“功率密度”大於50W/cm2
  3. 平均或連續輸出總功率大於500W;
  4. 脈衝峰值 “功率密度”大於500W/cm2;或

    註釋:第d條不適用於採用外延的方式製作的單片裝置。

  • 空間相干的平均或連續總輸出功率大於15W;

波長大於等於1900nm,且具備以下任一特徵:

  1. 平均或連續輸出“功率密度”大於50W/cm2
  2. 平均或連續輸出功率大於10W;或
  3. 空間相干的平均或連續輸出總功率大於1.5W;或

至少有一個上述“鐳射器”“巴條”;

技術説明:

此類“功率密度”指“鐳射器”總輸出功率除以疊陣的發光面積。

b.下列“化學鐳射器”:

(a)氟化氫(HF)“鐳射器”;

(b)氟化氘(DF)“鐳射器”;

(c)“傳能鐳射器”:

氧碘(O2-I)“鐳射器”;

氟化氘-二氧化碳(DF-CO2)“鐳射器”;

c.具備以下任一特徵的‘脈衝’釹玻璃“鐳射器”:

(a)脈衝持續時間”小于等於1μs,且輸出單脈衝能量大於50J;或

(b)脈衝持續時間”大於1μs,且輸出單脈衝能量大於100J;

4.以下組件:

a.採用‘主動製冷’或導熱管製冷的鏡片;

技術説明:

“主動製冷”是一種用於光學組件的製冷技術,它利用鏡面下方(通常在小于鏡面下方1mm處)的液體流動來消除光學組件的熱量。

b.為上述所列“鐳射器”專門設計的鏡片、透射或部分透射光學或光電組件,而非熔錐形光纖合束器及多層介質膜光柵(MLD)。

c.光纖“鐳射器”組件:

(a)具備以下所有特徵的多模-多模熔錐型光纖合束器:

在額定總平均或連續輸出功率(不包括通過單模芯(如果有)傳輸的光纖)超過1000W的情況下,小于等於0.3dB的插入損耗;且

輸入光纖數量大於等於3;

(b)具備以下所有特徵的單模-多模熔錐型光纖合束器:

在額定總平均輸出功率或連續輸出功率超過4600W的情況下,小于等於0.5dB的插入損耗(優於);

輸入光纖數量大於等於3;且

具備以下任何一個特徵:

  1. 輸入纖維數小于等於5時,輸出光束參數積小于等於1.5mm mrad;或
  2. 輸入光纖數大於5時,輸出光束參數積小于等於2.5mm mrad;或

(c)具備以下所有特徵的多層介質膜光柵(MLD):

設計用於5個或5個以上的光纖鐳射器光譜或相干合束;且

連續“鐳射”損傷閾值(LIDT)大於等於10kW/cm2

(五)磁場和電場感測器

重力儀

1.重力儀(重力計)和重力梯度儀,如下:

(1)設計或改進用於地面用途,且靜態精度小于(優於)10µGal的重力儀;

註釋:第a條不適用於地面使用的石英元件重力儀(渥爾登重力儀)。

(2)為移動平臺設計,且具備以下所有特徵的重力儀

a.靜態“精度”小于(優於)0.7mGal;且

b.動態“精度”小于(優於)0.7mGal,且在矯正補償和運動影響的任意組合下,穩定時間少於2分鐘;

技術説明:

就第(b)條而言,‘穩定時間’(也叫“重力儀反應時間”)是指減小平臺引起的加速度的干擾的時間。

c.重力梯度儀。

雷達

1.具備以下任一特徵的雷達系統、設備和組件,以及為其專門設計的組件:

註釋:本節不適用於以下各項: 

二級監視雷達(SSR);

民用汽車雷達;

用於航空管制(ATC)的螢幕或監視器;

氣象(天氣)雷達;

符合國際民用航空組織(ICAO)標準及採用電子線性相控(單維)陣列或機械定位無源天線的精密進場著陸雷達(PAR)。

(1)在40~230GHz的頻率範圍內運作,且具備以下任一特徵: 

a.平均輸出功率大於100mW;或

b.距離定位“精度”小于等於(優於)1m,方位角定位精度小于等於(優於)0.2°;

(2) 可調頻寬大於“中心工作頻率”的±6.25%;

技術説明:

“中心工作頻率”等於所述最高和最低工作頻率之和的一半。

(3)能同時在兩個以上的載波頻率上工作;

(4)能夠在合成孔徑(SAR)、反合成孔徑(ISAR)或機載側視(SLAR)雷達模式下工作;

(5)採用“相控陣天線”;

(6)能測量非合作式目標的高度;

(7)專用於機載(氣球或機架裝置),且具有用於偵測移動目標的多普勒“信號處理”功能;

(8)採用以下任一技術對雷達信號進行處理:

a.“雷達擴頻”技術;或

b.“雷達頻率捷變”技術;

(9) 專用於地面工作,且最大“測程”大於185km;

註釋:上文9條不適用於以下各項:

漁場監視雷達;

專門設計用於航空管制的地面雷達,且具備以下所有特徵:

  1. 其最大“測程”小于等於500km;
  2. 只能向一個或多個民航空管中心單向傳輸目標數據;
  3. 空管中心不能遙控雷達的掃描速率;且
  4. 永久性安裝;

氣象氣球追蹤雷達。

(10)具備以下任一特徵的“鐳射器”雷達或鐳射雷達(LIDAR)設備:

a.“宇航級”;

b.採用相干外差或零差探測技術,且角解析度小于(優於)20µrad(微弧度);或

c.為了實施或優化水道測量,按照國際海道測量組織(IHO)指令1a海道測量標準(2008年2月第5版)或更高標準的規定,實施航空濱海水深測量,且使用一個或多個波長大於400nm,但小于等於600nm的“鐳射器”;

註釋1:僅在第3條中對專門為測量設計的鐳射雷達(LIDAR)設備進行了規定。

註釋2:上條不適用於專門設計用於氣象觀測的鐳射雷達(LIDAR)設備。

註釋3:國際海道測量組織(IHO)指令標準1a(2008年2月第5版)內的參數匯總如下:水準精度(可信度為95%) = 5m+5%深度

折算深度的測深精度(可信度為95%) = ± √(a2 +(b*d)2),在公式中:

a=0.5m= 恒定深度誤差(即:所有恒定深度誤差的總和)

b=0.013= 深度相關誤差因子

b*d = 深度相關誤差,即:所有深度相關誤差的總和

d = 深度

特徵探測

=立方特徵>2m(深度可達40m);超過40m時為10%深度。

(11)配有採用“脈衝壓縮”的“信號處理”子系統,且具備以下任一特徵:

a.“脈衝壓縮”比大於150;或

b.壓縮脈衝寬度小于200ns;或

註釋: 上文第2條不適用於具有下列所有特徵的二維“航海雷達”或“船舶交通服務”雷達:

 “脈衝壓縮”比小于等於150;

壓縮脈衝寬度大於30ns;

單極式和旋轉式機械掃描天線;

峰值輸出功率小于等於250W;且

不能實現“跳頻”。

(12)配有數據處理子系統,且具備以下任一特徵: 

a.對於天線的任意轉動,“自動目標追蹤”能在下一個天線掃描波束對準目標(掃過)之前預測目標位置;

註釋:上條不適用於空中交通管制系統中的衝突預警能力,或“航海雷達”。

b.配置目的是為了在6s之內將來自兩個或兩個以上“不同地域”的雷達感測器的目標數據進行重疊、校正或融合,以提升其總性能,使其超出第(f)或(i)條所述的任何單一感測器的性能。

註釋:上條不適用於在船舶交通服務中使用的系統、設備及組件。

技術説明:

就本節而言,“航海雷達”指用於海上,內陸水道或近岸環境中安全航行的雷達。

就本節而言,“船舶交通服務”指類似于“飛機”空中交通管制的船舶交通監督和管制服務。

(六)試驗、檢測和生産設備

光學

1.下列光學設備:

(1)用以測量絕對反射率的設備,其“精度”等於或優於反射值的0.1%;

(2)光學表面散射測量設備以外的設備,具有大於10cm的有效孔徑,專用於非平面光學表面外形(截面)的非接觸光學測量,相對所需截面而言,其“精度”優於2nm。

註釋:上條不適用於顯微鏡。

重力儀

用於生産、對準和校準靜態測量精度優於0.1mGal的地面重力儀的設備。

雷達

發射脈衝寬度小于等於100ns的脈衝式雷達截面測量系統,以及為其專門設計的部件。

(七)材料

光學感測器

1.下列光學感測器材料:

(1)純度大於等於99.9995%的元素碲(Te);

(2)具備以下任一特徵的單晶體(包括外延片):

a.按摩爾分數計算,鋅含量小于6%的碲化鎘鋅(CdZnTe);

b.任何純度的碲化鎘(CdTe);或

c.任何純度的碲鎘汞(HgCdTe)。

技術説明:

“摩爾分數”指為碲化鋅的摩爾數與存在於晶體中的碲化鎘和碲化鋅的摩爾數之和的比率。

光學器件

1.下列光學材料:

(1)用化學氣相沉積法生産的硒化鋅(ZnSe)及硫化鋅(ZnS)的“基板”,且具備以下任一特徵:

a.體積大於100cm3;或

b.直徑大於80mm,且厚度大於等於20mm;

(2)下列光電材料與非線性光學材料:

a.鉀鈦砷鉀(KTA)(CAS 59400-80-5);

b.硒鎵銀(AgGaSe2,亦稱為AGSE)(CAS 12002-67-4);

c.硒砷鉈(Tl3AsSe3,亦稱為TAS)(CAS 16142-89-5);

d.磷化鋅鍺(ZnGeP2,亦稱為ZGP、鋅鍺磷化物或二磷化鍺鋅;或

f.硒化鎵(GaSe)(CAS 12024-11-2);

(3)由碳化矽或鈹混鈹(Be/Be)沉澱物構成的“基板”,其直徑或主軸長度大於300mm;

(4)具備以下所有特徵的玻璃,包括熔融石英、磷酸玻璃、氟氧玻璃、四氟化鋯(ZrF4)(CAS 7783-64-4)及四氟化鉿(HfF4)(CAS 13709-52-9):

a.氫氧根離子(OH-)濃度小于5ppm;

b.合金純度小于1ppm;且

c.高均勻度(折射率變化指數)小于5×10-6

(5)在大於200nm,小于等於14000nm的波長範圍內,光吸收率小于10-5 cm-1的人造金剛石材料;

鐳射器

1.“鐳射”材料,如下:

(1) 未成型的合成晶體“鐳射”基體材料如下:

a.摻鈦藍寶石;

(2)摻雜稀土金屬的雙包層光纖:

a.標稱“鐳射”波長為975nm至1150nm,且具備以下所有特徵:

(a)平均纖芯直徑大於等於25μm;且

(b)纖芯‘數值孔徑’(NA)小于0.065;或

註釋:上條不適用於內包層玻璃直徑大於150μm,但小于等於300μm的雙包層光纖。

b.標稱“鐳射”波長超過1530nm,且具備以下所有特徵:

(a)平均纖芯直徑大於等於20μm;且

(b)纖芯‘數值孔徑’(NA)小于0.1。

技術説明:

就上條而言,纖芯“數值孔徑”(“NA”)是根據光纖的發射波長測定的。

上文(b)條包括組裝了端帽的光纖。

軟體

1.為“研製” “生産”或“使用”上述設備專門設計的“軟體”。

2.經專門“設計”或“改進”後可令不在列管清單的設備經具備上述設備功能的“軟體”。

技術

用於“研製”、“生産”或“使用”上述設備、材料及軟體的“技術”。

(七)導航與航空電子

系統、設備和組件

1.下列“星跟蹤器”和部件:

(1)“星跟蹤器”,其指定的方位角“精度”小于等於(優於)20弧秒(在設備的指定壽命內)。

(2)下列專為(1)條所述設備而設計的部件:

a.光學鏡頭或擋板;

b.數據處理裝置。

技術説明:

“星跟蹤器”也稱為星姿態敏感器或陀螺天文羅盤。

2.具備以下任一特徵的全球導航衛星系統(GNSS)接收設備,以及為其專門設計的部件:

(1)採用專為政府設計或改進的解密演算法來存取位置和時間的測距碼;或

(2)採用“自適應天線系統”。

註釋: (2)不適用GNSS接收設備,該設備僅使用設計用於濾波、轉換或組合來自多個全向天線(未使用自適應天線技術)的信號的部件。

技術説明:

就(2)而言,“自適應天線系統”可通過對信號在時域或頻域上的處理,在天線陣列方向圖上動態生成一個或多個空間零點。

3.在除4.2GHz至4.4GHz以外的頻率下運作的機載高度計,且具備下列任一特徵:

(1)“功率管理”;或

(2) 使用相移鍵控調製。

試驗、檢測和生産設備

1.專為上節所述設備而設計的試驗、校準或調準設備。

2.下列為表徵環“鐳射”陀螺儀的反光鏡特徵而專門設計的設備:

(1)散射計具備小于等於(優於)10ppm的測量“精度”;

(2)輪廓儀具備小于等於(優於)0.5nm(5埃)的測量“精度”。

3.為“生産”上文所述設備而專門設計的設備。

註釋:包括:

陀螺儀調諧檢測站;

陀螺儀動態平衡站;

陀螺儀磨合/電機檢測站;

陀螺儀抽空和填充站;

用於陀螺儀軸承的離心機裝置;

加速計軸線對準站;

光纖陀螺儀繞線機。

軟體

1.為“研製”或“生産”或“使用”上述設備而專門設計或改進的“軟體”。

2.經專門“設計”或“改進”後可令不在列管清單的設備經具備上述設備功能的“軟體”。

3.用於操作或維修上述設備的“源代碼”。

4.專為“主動飛行控制系統”、直升機多軸線電傳或光傳操縱飛行控制器,或直升機迴圈控制抗扭矩或迴圈控制“方向控制系統”的“研製”而專門設計的電腦輔助設計(CAD)“軟體”

技術

用於“研製”、“生産”或“使用”上述設備和軟體的“技術”。

(八)船舶

系統、設備和組件

1.下列船舶系統、設備和部件:

(1)下列專為各類潛水器設計或改進,且工作深度超過1000m的系統、設備和組件:

a.最大內艙室直徑大於1.5m的耐壓艙壁或耐壓殼體;

b.直流推進電動機或推進器;

c.採用光纖的集束控制電纜及其連接裝置,並使用達到複合強度的構件;

d.使用下列材料製造的各類組件;

專為水下使用設計的“複合泡沫塑膠”,且具備以下所有特徵:

(a)設計下潛深度超過1000m的海洋設備;且

(b)密度小于561kg/m3

技術説明:

上條的限制目標在於“複合泡沫塑膠”的設計潛水深度超過1000m且密度小于561kg/m3,不應因其是半成品或處於製造中間環節而被忽略從而允許出口。

(2)對於上述潛水器自主航行控制而專門設計或改進的系統,該類系統使用導航數據、具有閉環伺服控制,且具備以下任一特徵:

a.能夠使潛水器移動到水體預設點的10m水柱的範圍內。

b.能夠使潛水器保持在水體預設點的10m水柱範圍內;或

c.當沿著敷設在海床上或埋設在海床下的電纜航行時,潛水器的位置能夠控制在距離電纜10m範圍內;

(3)裝有光纖耐壓殼體壓頭;

(4)為水下使用而設計的“機器人”,其可以通過專用電腦進行控制,且具備以下任一特徵:

a.裝有一些能夠使用各種感測器提供的資訊對“機器人”進行控制的系統,這些感測器包括:測量施加於某個艙外物體上的力或力矩的感測器、測距感測器、或觸覺感測器;或

b.能夠施加250N以上的力或250Nm以上的力矩,且其結構性構件使用鈦基合金或“複合”“纖維或纖絲材料”;

(5) a. 具備以下所有特徵,且採用“斯特林”迴圈發動機的不依賴空氣動力系統:

(a)專為降低10kHz以下噪音設計的設備或附件,或為減震安裝的特殊設備;且

(b)專門設計的可在100kPa或更高的壓力下排放燃燒産物的排氣系統;

(6)a.為下列排水量為1000噸或1000噸以上的船舶設計的降噪系統:

(a)用於降低頻率低於500Hz的水下噪音,且裝有複合材料吸聲底座,以隔絕柴油發動機、柴油發電機組、燃氣輪機、燃氣輪機發電機組、推進電動機或推進用減速齒輪裝置發出的噪音,特別是為隔絕噪音或振動而設計,並裝有中間質塊(其品質超過設備品質的30%)的降噪系統;

(b)專為動力傳動系統而設計的“主動降噪或消音系統”或磁力軸承;

技術説明:

“主動降噪或消音系統”中包括各種可以直接針對噪音源或振動源製造反向噪音或反向信號以主動降低設備振動的電子控制系統。

(九)航空航太和推進

系統、設備和部件

1.航空燃氣渦輪發動機:

(1)採用標題為“技術”的下節第二段所述任一項“技術”,或

註釋1:本條不適用於滿足下列所有要求的航空燃氣渦輪發動機:

已獲得民用航空主管部門的認證;且

專門為非軍用載人“航空器”提供動力的發動機,民用航空主管部門已經為這些使用此類特定發動機的“航空器”簽發了下列任一文件:

  1. 民用型號的合格證;或
  2. 國際民用航空組織(ICAO)認可的等效文件。

註釋2: 本條不適用於為已獲得成員國民航主管部門批准的輔助動力裝置(APU)設計的航空燃氣渦輪發動機。

(2)設計用於為巡航速度1馬赫(含)以上,續航時間在30分鐘以上的“航空器”提供動力。

2.根據國際標準化組織的標準,連續輸出功率大於等於24245kW,且在35%-100%的功率範圍內,耗油率不大於0.219kg/kWh的“船用燃氣渦輪發動機”,以及為其專門設計的組件和部件。

註釋:術語“船用燃氣渦輪發動機”包括那些工業或航空發動機改型、並用於船上發電或推進的燃氣渦輪發動機。

3.採用下文標題為“技術”的一節第2段所述的任一項“技術”,為下列任一航空燃氣渦輪發動機專門設計的零部件:

(1)符合上述第1條規定;或

(2)其設計或生産源於未知製造商。

4.下列航太運載火箭、“航太器”、“航太器平臺”、“航太器有效載荷”、“航太器”的星載系統或設備以及地面設備:

(1)航太運載火箭;

(2)“航太器”;

(3)“航太器平臺”;

(4)“航太器有效載荷”包括該清單所述的所有物項;

(5)專為“航太器”設計的,且具有下列任一功能的星載系統或設備:

a.“指令與遙測數據處理”;

(6) 下列專為“航太器”設計的地面設備:

a.遙測和遙控設備;

b.模擬器。

5.液體火箭推進系統。

6.下列專為液體火箭推進系統設計的系統和部件:

(1)專為空間運載工具設計的低溫製冷機、飛行重量杜瓦瓶、低溫熱管或低溫系統,其可將低溫液體年損失限制在30%的範圍內;

(2)能為持續飛行速度大於3馬赫的“航空器”、運載火箭或“航太器”提供100K(-173℃)或更低溫度的低溫容器或閉路迴圈製冷系統;

(3)氫漿儲存或輸送系統;

(4)高壓(大於17.5MPa)渦輪泵、泵部件或與之關聯的燃氣發生器或膨脹迴圈渦輪驅動系統;

(5)與其配套的高壓(大於10.6MPa)推力室及噴嘴;

(6)採用毛細管理或正壓輸送原理(即:帶有彈性囊狀物)的推進劑存貯系統;

(7)專為液體火箭發動機設計的,且單孔直徑小于等於0.381mm(非圓形孔的面積小于等於1.14×10-3cm2)的液體推進劑噴注器;

(8)密度大於1.4g/cm3且抗拉強度大於48MPa的整體式碳碳推力室或碳-碳出口錐。

7.固體火箭推進系統。

8.下列專為固體火箭推進系統設計的部件:

(1)使用內襯為固體推進劑和外殼絕緣材料之間提供“牢固的力學粘連”或阻止其化學遷移的絕緣和推進劑粘結系統;

(2)直徑大於0.61m或“結構效率比(PV/W)”大於25km的纖維纏繞“複合材料”發動機殼體;

技術説明:

“結構效率比(PV/W)”為爆裂壓力(P)乘以容器體積(V)除以壓力容器的總重量(W)的比值。

(3)推力級大於45kN或喉部燒蝕速率小于0.075mm/s的噴管;

(4)具有下列任一能力的擺噴管或二次液體噴注推力向量控制系統:

a.全軸向擺動幅度大於±5°;

b.角向量旋轉速度大於等於20°/s;或

c.角向量加速度大於等於40°/s2

9.混合式火箭推進系統:

10.下列專為運載火箭、運載火箭推進系統或“航太器”設計的部件、系統和結構:

(1)專門設計用下列任一材料製造運載火箭的部件或結構:

a.纖維或纖絲材料;

b.金屬“基體”“複合材料”;或

c.陶瓷“基體”“複合”材料;

11.下列“無人機”(“UAV”)、無人駕駛“飛艇”,相關的設備和部件:

(1)設計用於可在“操作員”直接“自然視覺”範圍外受控飛行,且具備以下特徵之一的“無人機”或無人駕駛“飛艇”:

a.具備以下所有特徵:

(a)最大“續航時間”大於等於30分鐘,小于1小時;且

(b)在風力大於等於46.3km/h(25節)時,具有起飛和穩定可控飛行能力;或

b.最大“續航時間”大於等於1小時;

技術説明:

就上條而言,“操作員”指的是開動或指揮“無人機”或無人駕駛“飛艇”飛行的人員。

就上條而言,“續航時間”可在無風環境中的海平面高度上的國際標準大氣壓(ISO 2533:1975)條件下計算。

就上條而言,“自然視覺”指的是人在佩戴或未佩戴視力矯正鏡片時的裸眼視力。

(2)下列相關設備和部件:

a.為把有人駕駛“飛機”或有人駕駛“飛艇”改裝為第(a)條所述的“無人機”或無人駕駛“飛艇”而專門設計的設備或部件;

b.為在15240m(50000英尺)的高空推進“無人機”或無人駕駛“飛艇”而專門設計或改進的吸氣式活塞發動機或轉子內燃發動機。

試驗、檢測和生産設備

1.專為“研製”燃氣渦輪發動機及其零部件而設計、且採用 “技術”一節2(b)或2(c)所述的任何“技術”的線上(實時)控制系統、儀器儀錶(包括感測器)或自動數據採集和處理設備。

2.專為“生産”或測試當葉尖速度大於335m/s、工作溫度高於773K(500℃)的燃氣渦輪發動機刷式封嚴裝置而設計的設備,以及為其專門設計的部件或配件。

3.下述燃氣渦輪機“技術”一節第二段所述的將“高溫合金”、鈦合金或金屬間化合物葉片固定連接至盤組合件的工具、模具或夾具。

4.專門為速度大於等於1.2馬赫的風洞而設計的線上(實時)控制系統、儀器儀錶(包括感測器)或自動數據採集和處理設備。

5.當試驗艙溫度大於1273K(1000℃)時,産生大於等於160dB(相對於20μPa)的聲壓級,且額定輸出功率大於等於4kW的聲振試驗設備,以及為其專門設計的石英加熱器。

6.為用於檢測火箭發動機的完整性而專門設計的設備,使用除平面X射線或基本物理或化學分析以外的無損檢測(NDT)技術。

7.專為在氣流總溫(滯止溫度)大於833K(560℃)時,可直接測量側壁表面摩擦力而設計的感測器。

8.具備以下所有特徵的用於製造渦輪發動機粉末冶金轉子部件的模具:

(1)能在應力值大於等於極限拉伸強度(UTS)的60%、且金屬溫度大於等於873K(600℃)的條件下使用;和

(2)設計工作溫度大於等於873K(600℃)。

註釋: 上條不適用於生産粉末的模具。

9.專為生産“無人機”(“UAV”)、無人駕駛“飛艇”,以及相關部件而設計的設備。

軟體

1.為“研製”、“生産”或“使用”上述設備專門設計或改進的“軟體”。

2.經專門“設計”或“改進”後可令不在列管清單的設備具備上述設備功能的“軟體”。

技術

1.用於 “研製”、“生産”或“使用”上述設備及軟體的“技術”。

2.下列其他“技術”:

(1)“研製”或“生産”下列任意一種燃氣渦輪發動機部件或系統的“所需”“技術”;

a.由定向凝固(DS)或單晶(SC)合金製成的,且在1273K(1、000℃)及200MPa應力條件下的應力斷裂壽命(在001密勒指數方向)超過400小時(基於性能指標平均值)的燃氣渦輪葉片、導向葉片或“渦輪罩環”;

b.具備以下特徵之一的燃燒室:

(a)設計用於在“燃燒室出口溫度”大於1883K(1610℃)下使用的熱去耦火焰筒;

(b)非金屬火焰筒;

(c)非金屬殼體;或

(d)設計用於在“燃燒室出口溫度”大於1883K(1610℃)下使用的,且滿足c規定的參數的打孔火焰筒; 

c.由以下任一材料製造的部件:

(a)設計用於在溫度大於588K(315℃)下使用的有機“複合”材料;

(b)由以下任一材料製成的:

金屬“基體”“複合材料”:

陶瓷“基體”“複合材料”;或

(c)具備以下所有特徵的靜子葉片、導流葉片、動葉、葉尖密封裝置(罩環)、旋轉整體葉環、旋轉整體葉盤或“分流器管路”:

前文中未作規定的;

設計用於壓氣機或風扇的;且

由“纖維或纖絲材料”和樹脂製造的; 

設計用於在氣路溫度大於等於1373K(1100℃)下使用的非冷卻的渦輪葉片、導向葉片或“渦輪罩環”;

可在氣路溫度大於等於1693K(1420℃)下使用的冷卻渦輪葉片、導向葉片或“渦輪罩環”;

採用固態連接的葉片和盤組合件;

採用“擴散連接”“技術”製成的燃氣渦輪發動機部件; 

採用粉末冶金材料製成的“損傷容限型”燃氣渦輪發動機轉子部件;或

空心風扇葉片;

(2)下列用於燃氣渦輪發動機“全許可權數字式發動機控制系統”的“技術”:

a.“研製”由“全許可權數字式發動機控制系統”調節發動機推力或軸功率所需部件的功能要求(例如:反饋感測器時間常數和精確度、燃油閥轉換速率等)的“技術”;

b.“研製”或“生産”由“全許可權數字式發動機控制系統”調節發動機推力或軸功率的特有控制和診斷部件的“技術”;

c.“研製”由“全權數字電子/發動機控制系統”調節發動機推力或軸功率的特有控制律演算法(包括“源代碼”)的“技術”;

註釋: 上文b條不適用於與發動機“飛機”整合有關的技術數據,一個或多個參與國的民用航空主管部門在發佈通用航空系統使用(例如:安裝手冊、操作規程、持續適航文件等)或介面功能(例如:輸入/輸出處理、機身推力或軸功率要求等)時需要此類數據。

(3)下列專為燃氣發生器渦輪、風扇或動力渦輪、或推力噴管設計的,用於保持發動機穩定性的可調流道系統的“技術”:

a.“研製”確保保持發動機穩定性部件功能要求的“技術”;

b.“研製”或“生産”確保保持發動機穩定性的可調流道系統特有部件的“技術”;

c.“研製”用於保持發動機穩定性的可調流道系統特有控制律演算法(包括“源代碼”)的“技術”。

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